Инвентаризация:1525

Технические детали

  • Тип монтажа 4-SMD, No Lead
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 130mOhm @ 4A, 5V
  • Барьерный тип 2.8V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение 4-SMD
  • Длина ремня 5V
  • Шаг Количество +6V, -4V
  • 200 V
  • 3 nC @ 5 V
  • 150 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


MOSFET 200V 4A 4SMD

Инвентаризация: 330

GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C

Инвентаризация: 0

Top