Инвентаризация:1548

Технические детали

  • Тип монтажа 4-SMD, No Lead
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 5A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 44mOhm @ 5A, 5V
  • Барьерный тип 2.5V @ 1.2mA
  • Максимальное переменное напряжение 4-SMD
  • Длина ремня 5V
  • Шаг Количество +6V, -4V
  • 100 V
  • 2.2 nC @ 5 V
  • 233 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W

Инвентаризация: 737

GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B

Инвентаризация: 73

GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB

Инвентаризация: 82

GAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB

Инвентаризация: 8

GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB

Инвентаризация: 95

MOSFET 200V 4A 4SMD

Инвентаризация: 330

GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B

Инвентаризация: 62

GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C

Инвентаризация: 0

50V 10A HALF BRIDGE

Инвентаризация: 11

Top