- Модель продукта FBG10N05AC
- Бренд EPC Space
- RoHS No
- Описание GAN FET HEMT 100V5A COTS 4FSMD-A
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1548
Технические детали
- Тип монтажа 4-SMD, No Lead
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 5A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 44mOhm @ 5A, 5V
- Барьерный тип 2.5V @ 1.2mA
- Максимальное переменное напряжение 4-SMD
- Длина ремня 5V
- Шаг Количество +6V, -4V
- 100 V
- 2.2 nC @ 5 V
- 233 pF @ 50 V