- Модель продукта EPC7018GSH
- Бренд EPC Space
- RoHS No
- Описание GAN FET HEMT 100V 90A 5UB
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 5-SMD, No Lead
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 80A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 6mOhm @ 40A, 5V
- Барьерный тип 2.5V @ 12mA
- Максимальное переменное напряжение 5-SMD
- Длина ремня 5V
- Шаг Количество +6V, -4V
- 100 V
- 11.7 nC @ 5 V
- 1240 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
TRANS GAN BUMPED DIE
Инвентаризация: 12647
GAN FET HEMT 100V 5A COTS 4UB
Инвентаризация: 144
GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
Инвентаризация: 105
GAN FET HEMT 60V 1A 4UB
Инвентаризация: 19
GAN FET HEMT 100V 74A COTS 4UD
Инвентаризация: 100
GAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB
Инвентаризация: 8
GAN FET HEMT 40V 80A COTS 4UD
Инвентаризация: 100
GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB
Инвентаризация: 95
GAN FET HEMT 200V 80A COTS 5UB
Инвентаризация: 0
GAN FET HEMT 200V 80A 5UB
Инвентаризация: 0
