Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 5-SMD, No Lead
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 80A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 14.5mOhm @ 30A, 5V
  • Барьерный тип 2.5V @ 7mA
  • Максимальное переменное напряжение 5-SMD
  • Длина ремня 5V
  • Шаг Количество +6V, -4V
  • 200 V
  • 1313 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN

Инвентаризация: 25364

GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B

Инвентаризация: 105

GAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB

Инвентаризация: 8

GAN FET HEMT 200V 18A 4FSMD-B

Инвентаризация: 51

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 707

MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK

Инвентаризация: 1565

650 V 95 A GAN FET

Инвентаризация: 713

Top