- Модель продукта FBG04N30BC
- Бренд EPC Space
- RoHS No
- Описание GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 4-SMD, No Lead
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 9mOhm @ 30A, 5V
- Барьерный тип 2.5V @ 9mA
- Максимальное переменное напряжение 4-SMD
- Длина ремня 5V
- Шаг Количество +6V, -4V
- 40 V
- 11.4 nC @ 5 V
- 1300 pF @ 20 V
Сопутствующие товары
RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
Инвентаризация: 150
GANFET N-CH 40V 29A DIE
Инвентаризация: 34495
TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101
Инвентаризация: 23295
GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
Инвентаризация: 82
GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB
Инвентаризация: 95
GAN FET HEMT 40V 30A 4FSMD-B
Инвентаризация: 20
GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B
Инвентаризация: 181
GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
Инвентаризация: 62
GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C
Инвентаризация: 0
