Инвентаризация:1650

Технические детали

  • Тип монтажа 12-VFDFN Exposed Pad
  • Толщина контактного покрытия 2A
  • Индуктивность 0Hz ~ 15GHz
  • Общее сопротивление 29W
  • Площадь (Д x Ш) 11.6dBm
  • Функция - Освещение HEMT
  • Максимальное переменное напряжение 12-DFN (4x3)
  • Длина ножки 100 V
  • 40 V
  • 150 mA

Сопутствующие товары


RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX

Инвентаризация: 23303

RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX

Инвентаризация: 8942

RF MOSFET HEMT 28V 6QFN

Инвентаризация: 626

RF MOSFET HEMT 40V 12DFN

Инвентаризация: 1

RF MOSFET HEMT 40V 440210

Инвентаризация: 0

Top