Технические детали

• Тип монтажа 4-Micro-X
• Толщина контактного покрытия 15mA
• Индуктивность 20GHz
• Общее сопротивление 125mW
• Площадь (Д x Ш) 13.8dB
• Функция - Освещение pHEMT FET
• Глубина (дюймы) 0.8dB
• Максимальное переменное напряжение 4-Micro-X
• Длина ножки 4 V
• 2 V
• 10 mA