Инвентаризация:1750

Технические детали

  • Тип монтажа Die
  • Толщина контактного покрытия 90mA
  • Индуктивность 26GHz
  • Общее сопротивление 24dBm
  • Площадь (Д x Ш) 14dB
  • Функция - Освещение pHEMT FET
  • Максимальное переменное напряжение Chip
  • 3 V
  • 1 mA

Сопутствующие товары


RF MOSFET PHEMT FET 2V 4MICROX

Инвентаризация: 8942

RF MOSFET PHEMT FET 3V CHIP

Инвентаризация: 70

RF MOSFET MESFET 3V CHIP

Инвентаризация: 0

Top