Технические детали

• Тип монтажа Die
• Толщина контактного покрытия 120mA
• Индуктивность 26GHz
• Общее сопротивление 25dBm
• Площадь (Д x Ш) 14dB
• Функция - Освещение pHEMT FET
• Максимальное переменное напряжение Chip
• 3 V
• 1 mA