Технические детали

• Тип монтажа Die
• Толщина контактного покрытия 80mA
• Индуктивность 500MHz ~ 26GHz
• Площадь (Д x Ш) 19dB
• Функция - Освещение GaAs FET
• Глубина (дюймы) 3.5dB
• Максимальное переменное напряжение Chip
• 6 V
• 30 mA