Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа Die
  • Толщина контактного покрытия 110mA
  • Индуктивность 28GHz
  • Общее сопротивление 24dBm
  • Площадь (Д x Ш) 16dB
  • Функция - Освещение MESFET
  • Максимальное переменное напряжение Chip
  • 3 V
  • 110 mA

Сопутствующие товары


RF MOSFET PHEMT FET 3V CHIP

Инвентаризация: 70

RF MOSFET PHEMT FET 3V CHIP

Инвентаризация: 250

RF MOSFET MESFET 3V CHIP

Инвентаризация: 0

Top