- Модель продукта TP65H150BG4JSG-TR
- Бренд Transphorm
- RoHS Yes
- Описание GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5291
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 16A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 180mOhm @ 10A, 6V
- Материал феррулы 83W (Tc)
- Барьерный тип 2.8V @ 500µA
- Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6)
- Длина ремня 6V
- Шаг Количество ±10V
- 650 V
- 4.9 nC @ 10 V
- 400 pF @ 400 V