- Модель продукта SGT120R65AL
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание 650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 15A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 120mOhm @ 5A, 6V
- Материал феррулы 192W (Tc)
- Барьерный тип 2.6V @ 12mA
- Максимальное переменное напряжение PowerFlat™ (5x6) HV
- Длина ремня 6V
- Шаг Количество +6V, -10V
- 650 V
- 3 nC @ 6 V
- 125 pF @ 400 V