Инвентаризация:2065

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 39A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 64mOhm @ 20.1A, 18V
  • Материал феррулы 125W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 6mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-4-3
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +23V, -5V
  • 650 V
  • 33 nC @ 18 V
  • 1118 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 1934

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 1965

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 268

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 1435

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 88

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 460

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 52

HIGH POWER_NEW

Инвентаризация: 231

Top