Инвентаризация:1851

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 47A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 34mOhm @ 38.3A, 18V
  • Материал феррулы 189W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 11mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-3-41
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +23V, -5V
  • 650 V
  • 62 nC @ 18 V
  • 2131 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SENSOR CURRENT HALL 50A AC/DC

Инвентаризация: 14004

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 268

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 1435

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 55

MOSFET N-CH 200V 220A X4 TO-247

Инвентаризация: 0

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 285

SICFET N-CH 650V 39A TO247N

Инвентаризация: 0

750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T

Инвентаризация: 1108

Top