Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 36A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 100mOhm @ 20A, 18V
  • Материал феррулы 238W (Tc)
  • Барьерный тип 4.9V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение H2PAK-7
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -10V
  • 1200 V
  • 61 nC @ 18 V
  • 1233 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET

Инвентаризация: 260

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 259

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 12A HIP247

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 20A HIP247

Инвентаризация: 43

SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 60A H2PAK-7

Инвентаризация: 0

TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247

Инвентаризация: 0

IC POWER MOSFET 1200V HIP247

Инвентаризация: 294

Top