- Модель продукта SCTH40N120G2V-7
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 36A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 100mOhm @ 20A, 18V
- Материал феррулы 238W (Tc)
- Барьерный тип 4.9V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение H2PAK-7
- Длина ремня 18V
- Шаг Количество +22V, -10V
- 1200 V
- 61 nC @ 18 V
- 1233 pF @ 800 V