Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 40A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 100mOhm @ 20A, 20V
  • Материал феррулы 270W (Tc)
  • Барьерный тип 3.5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение H2PAK-2
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +25V, -10V
  • 1200 V
  • 105 nC @ 20 V
  • 1700 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

Инвентаризация: 5562

SICFET N-CH 1200V 12A HIP247

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 20A HIP247

Инвентаризация: 43

SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 60A H2PAK-7

Инвентаризация: 0

DISCRETE

Инвентаризация: 0

TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247

Инвентаризация: 0

IC POWER MOSFET 1200V HIP247

Инвентаризация: 526

Top