Инвентаризация:2026

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 239mOhm @ 10A, 20V
  • Материал феррулы 175W (Tc)
  • Барьерный тип 3.5V @ 1mA (Typ)
  • Максимальное переменное напряжение HiP247™ Long Leads
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +25V, -10V
  • 1200 V
  • 45 nC @ 20 V
  • 650 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3

Инвентаризация: 172

HIP247 IN LINE

Инвентаризация: 564

SICFET N-CH 1200V 20A HIP247

Инвентаризация: 499

SICFET N-CH 1200V 20A HIP247

Инвентаризация: 43

SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 31A TO247N

Инвентаризация: 842

SICFET N-CH 1200V 65A HIP247

Инвентаризация: 0

TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247

Инвентаризация: 0

IC POWER MOSFET 1200V HIP247

Инвентаризация: 294

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 600

Top