- Модель продукта SCTWA20N120
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание IC POWER MOSFET 1200V HIP247
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2026
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 200°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 239mOhm @ 10A, 20V
- Материал феррулы 175W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 1mA (Typ)
- Максимальное переменное напряжение HiP247™ Long Leads
- Длина ремня 20V
- Шаг Количество +25V, -10V
- 1200 V
- 45 nC @ 20 V
- 650 pF @ 400 V