Инвентаризация:2064

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 7A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 1.3Ohm @ 3A, 20V
  • Материал феррулы 96W (Tc)
  • Барьерный тип 3.5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение HiP247™
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +22V, -10V
  • 1700 V
  • 13.3 nC @ 20 V
  • 133 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 300MA TO236

Инвентаризация: 885124

MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB

Инвентаризация: 9011

SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7L

Инвентаризация: 1131

SICFET N-CH 1700V 7A TO247-3

Инвентаризация: 232

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL

Инвентаризация: 119

SICFET N-CH 1200V 20A HIP247

Инвентаризация: 499

Top