Инвентаризация:1619

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4.2A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 1.43Ohm @ 2A, 20V
  • Материал феррулы 48W
  • Барьерный тип 4.3V @ 640µA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-3
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +25V, -15V
  • 1700 V
  • 14 nC @ 20 V
  • 150 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P

Инвентаризация: 5307

SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3

Инвентаризация: 8703

SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3

Инвентаризация: 8523

SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3

Инвентаризация: 1467

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL

Инвентаризация: 653

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 342

SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM

Инвентаризация: 2213

N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB

Инвентаризация: 306

MOSFET N-CH 1200V 6A TO220

Инвентаризация: 962

SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3

Инвентаризация: 75424

Top