- Модель продукта NTHL1000N170M1
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:1619
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 4.2A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.43Ohm @ 2A, 20V
- Материал феррулы 48W
- Барьерный тип 4.3V @ 640µA
- Максимальное переменное напряжение TO-247-3
- Длина ремня 20V
- Шаг Количество +25V, -15V
- 1700 V
- 14 nC @ 20 V
- 150 pF @ 1000 V