- Модель продукта NTBG1000N170M1
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 4.3A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.43Ohm @ 2A, 20V
- Материал феррулы 51W (Tc)
- Барьерный тип 4.3V @ 640µA
- Максимальное переменное напряжение D2PAK-7
- Длина ремня 20V
- Шаг Количество +25V, -15V
- 1700 V
- 14 nC @ 20 V
- 150 pF @ 1000 V
Сопутствующие товары
SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Инвентаризация: 8703
SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
Инвентаризация: 12524
SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
Инвентаризация: 8523
SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Инвентаризация: 521
SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Инвентаризация: 1525
MOSFET SIC 1700 V 750 MOHM D2PAK
Инвентаризация: 0
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Инвентаризация: 727
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Инвентаризация: 119
SIC 1700V MOS 1O IN TO263-7L
Инвентаризация: 779
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Инвентаризация: 1527
