Инвентаризация:3027

Технические детали

  • Тип монтажа TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 1.5Ohm @ 1.1A, 18V
  • Материал феррулы 44W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 410µA
  • Максимальное переменное напряжение TO-268
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -6V
  • 1700 V
  • 14 nC @ 18 V
  • 184 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7

Инвентаризация: 12524

TRANS SJT 1700V D3PAK

Инвентаризация: 513

MOSFET SIC 1700 V 750 MOHM D2PAK

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268

Инвентаризация: 0

Top