Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 5.9A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 975mOhm @ 1.7A, 18V
  • Материал феррулы 57W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 630µA
  • Максимальное переменное напряжение TO-268
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -6V
  • 1700 V
  • 17 nC @ 18 V
  • 275 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


HEATSINK D-PAK3 TIN PLATED SMD

Инвентаризация: 1851

1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS

Инвентаризация: 620

SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7

Инвентаризация: 1898

MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-268

Инвентаризация: 25

TRANS SJT 1700V TO247-4

Инвентаризация: 210

TRANS SJT 1700V D3PAK

Инвентаризация: 513

HIP247 IN LINE

Инвентаризация: 564

SICFET N-CH 1700V 4A TO268

Инвентаризация: 1527

Top