- Модель продукта IMBF170R650M1XTMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3398
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 7.4A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 650mOhm @ 1.5A, 15V
- Материал феррулы 88W (Tc)
- Барьерный тип 5.7V @ 1.7mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-13
- Длина ремня 12V, 15V
- Шаг Количество +20V, -10V
- 1700 V
- 8 nC @ 12 V
- 422 pF @ 1000 V