- Модель продукта G2R1000MT17J
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:14024
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 3A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.2Ohm @ 2A, 20V
- Материал феррулы 54W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 2mA
- Максимальное переменное напряжение TO-263-7
- Длина ремня 20V
- Шаг Количество +20V, -10V
- 1700 V
- 139 pF @ 1000 V