Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 52mOhm @ 30A, 18V
  • Материал феррулы 389W (Tc)
  • Барьерный тип 5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение HiP247™
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +18V, -5V
  • 1200 V
  • 94 nC @ 8 V
  • 1969 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3

Инвентаризация: 3429

SICFET N-CH 1200V 66A TO247-3

Инвентаризация: 51

1200V, 55A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 435

SICFET N-CH 1200V 40A HIP247

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 33A HIP247

Инвентаризация: 603

DISCRETE

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 600

DISCRETE

Инвентаризация: 0

WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARK

Инвентаризация: 0

Top