Инвентаризация:2103

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 33A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 105mOhm @ 20A, 18V
  • Материал феррулы 290W (Tc)
  • Барьерный тип 5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение HiP247™
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -10V
  • 1200 V
  • 63 nC @ 18 V
  • 1230 pF @ 800 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


SIC, MOSFET, 21M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 0

1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET

Инвентаризация: 260

AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

Инвентаризация: 0

TO247-4

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 40A TO247N

Инвентаризация: 4942

SICFET N-CH 1200V 20A HIP247

Инвентаризация: 43

SICFET N-CH 1200V 40A HIP247

Инвентаризация: 0

TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247

Инвентаризация: 0

IC POWER MOSFET 1200V HIP247

Инвентаризация: 294

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 600

Top