Инвентаризация:1566

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 90A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 26mOhm @ 50A, 18V
  • Материал феррулы 330W (Tc)
  • Барьерный тип 5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение H2PAK-7
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -10V
  • 650 V
  • 157 nC @ 18 V
  • 3300 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


HIGH PRECISION LINEAR HALL EFFEC

Инвентаризация: 13794

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 1218

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 2330

AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

Инвентаризация: 0

750V, 98A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 387

SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7

Инвентаризация: 1704

SICFET N-CH 650V 90A HIP247

Инвентаризация: 2

MOSFET N-CH 650V 15A POWERFLAT

Инвентаризация: 18751

750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC

Инвентаризация: 1328

Top