- Модель продукта SCTH90N65G2V-7
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1566
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 90A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 26mOhm @ 50A, 18V
- Материал феррулы 330W (Tc)
- Барьерный тип 5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение H2PAK-7
- Длина ремня 18V
- Шаг Количество +22V, -10V
- 650 V
- 157 nC @ 18 V
- 3300 pF @ 400 V