Инвентаризация:1502

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 90A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 25mOhm @ 50A, 18V
  • Материал феррулы 390W (Tc)
  • Барьерный тип 5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение HiP247™
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -10V
  • 650 V
  • 157 nC @ 18 V
  • 3300 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 178

650V, 118A, THD, TRENCH-STRUCTUR

Инвентаризация: 441

SICFET N-CH 650V 93A TO247N

Инвентаризация: 1493

SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7

Инвентаризация: 66

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

Инвентаризация: 2740

SICFET N-CH 650V 45A HIP247

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 650V 45A HIP247

Инвентаризация: 0

TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 600

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

Инвентаризация: 8

Top