Инвентаризация:1508

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 119A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 24mOhm @ 50A, 18V
  • Материал феррулы 565W (Tc)
  • Барьерный тип 5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247 Long Leads
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -10V
  • 650 V
  • 157 nC @ 18 V
  • 3380 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 461

TRANS SJT N-CH 700V 140A TO247-4

Инвентаризация: 46

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 2330

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 800

SICFET N-CH 650V 100A HIP247

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 650V 90A HIP247

Инвентаризация: 2

TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 600

Top