- Модель продукта SCTWA90N65G2V
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1508
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 200°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 119A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 24mOhm @ 50A, 18V
- Материал феррулы 565W (Tc)
- Барьерный тип 5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение TO-247 Long Leads
- Длина ремня 18V
- Шаг Количество +22V, -10V
- 650 V
- 157 nC @ 18 V
- 3380 pF @ 400 V