- Модель продукта SCTW100N65G2AG
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание SICFET N-CH 650V 100A HIP247
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 200°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 26mOhm @ 50A, 18V
- Материал феррулы 420W (Tc)
- Барьерный тип 5V @ 5mA
- Максимальное переменное напряжение HiP247™
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 18V
- Шаг Количество +22V, -10V
- 650 V
- 162 nC @ 18 V
- 3315 pF @ 520 V
- AEC-Q101