Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 26mOhm @ 50A, 18V
  • Материал феррулы 420W (Tc)
  • Барьерный тип 5V @ 5mA
  • Максимальное переменное напряжение HiP247™
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -10V
  • 650 V
  • 162 nC @ 18 V
  • 3315 pF @ 520 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


TERM BLK 2P SIDE ENTRY 15MM PCB

Инвентаризация: 5728

SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4

Инвентаризация: 592

H2PAK-7

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

Инвентаризация: 2740

SICFET N-CH 650V 90A HIP247

Инвентаризация: 2

DISCRETE

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

Инвентаризация: 8

TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247

Инвентаризация: 0

Top