Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 119A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 24mOhm @ 50A, 18V
  • Материал феррулы 565W (Tc)
  • Барьерный тип 5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение HiP247™ Long Leads
  • Шаг Количество +22V, -10V
  • 650 V
  • 157 nC @ 18 V
  • 3380 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


TRANS NPN 60V 3A SOT89-3

Инвентаризация: 8819

TRANS PNP 50V 5A SOT89-3

Инвентаризация: 11875

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 189

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 133

SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7

Инвентаризация: 66

SICFET N-CH 650V 45A HIP247

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 600

Top