Инвентаризация:1941

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 118A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 22.1mOhm @ 47A, 18V
  • Материал феррулы 427W
  • Барьерный тип 5.6V @ 23.5mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247N
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -4V
  • 650 V
  • 172 nC @ 18 V
  • 2884 pF @ 500 V

Сопутствующие товары


650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 461

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 60

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 178

SICFET N-CH 1200V 95A TO247N

Инвентаризация: 146

SICFET N-CH 650V 30A TO247N

Инвентаризация: 454

750V, 105A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 417

750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 0

750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 4859

Top