Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 70A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 50mOhm @ 40A, 20V
  • Материал феррулы 357W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 20mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +22V, -6V
  • 1200 V
  • 175 nC @ 20 V
  • 317 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


1200V 40MOHM SIC MOSFET

Инвентаризация: 1298

SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4

Инвентаризация: 1603

SIC MOSFET N-CH 71A TO247-4

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3

Инвентаризация: 0

MOSFET SIC 1200V 70A TO247-4L

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4

Инвентаризация: 87

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 115

SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4

Инвентаризация: 875

SICFET N-CH 1200V 55A TO247-4L

Инвентаризация: 828

Top