Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 71A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 48mOhm @ 35A, 15V
  • Материал феррулы 333W (Tc)
  • Барьерный тип 2.69V @ 10mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество ±15V
  • 1200 V
  • 106 nC @ 15 V
  • 2929 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4

Инвентаризация: 1085

SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4

Инвентаризация: 1603

SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3

Инвентаризация: 1732

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 57

SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4

Инвентаризация: 87

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 115

SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4

Инвентаризация: 875

SIC MOS TO247-4L 650V

Инвентаризация: 410

SICFET N-CH 1200V 102A TO247

Инвентаризация: 966

SIC MOS TO247-4L 650V

Инвентаризация: 444

Top