Инвентаризация:1615

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 54A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 54mOhm @ 20A, 18V
  • Материал феррулы 231W (Tc)
  • Барьерный тип 4.4V @ 10mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -10V
  • 1200 V
  • 75 nC @ 18 V
  • 1700 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E

Инвентаризация: 788

SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

Инвентаризация: 172

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 269

SIC MOS TO247-4L 650V

Инвентаризация: 660

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 286

SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3

Инвентаризация: 497

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Инвентаризация: 433

SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3

Инвентаризация: 335

SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

Инвентаризация: 876

Top