- Модель продукта NTH4L025N065SC1
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1769
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-4
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 99A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 28.5mOhm @ 45A, 18V
- Материал феррулы 348W (Tc)
- Барьерный тип 4.3V @ 15.5mA
- Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
- Длина ремня 15V, 18V
- Шаг Количество +22V, -8V
- 650 V
- 164 nC @ 18 V
- 3480 pF @ 15 V