Инвентаризация:1769

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 99A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 28.5mOhm @ 45A, 18V
  • Материал феррулы 348W (Tc)
  • Барьерный тип 4.3V @ 15.5mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +22V, -8V
  • 650 V
  • 164 nC @ 18 V
  • 3480 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET

Инвентаризация: 0

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 57

HIGH POWER_NEW

Инвентаризация: 0

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 501

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 2330

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4

Инвентаризация: 735

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 342

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 286

750V, 26M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 3841

Top