Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 97A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 34mOhm @ 33.5A, 15V
  • Материал феррулы 326W (Tc)
  • Барьерный тип 3.6V @ 9.22mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество +19V, -8V
  • 650 V
  • 112 nC @ 15 V
  • 2980 pF @ 600 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 650V 120A TO247-3

Инвентаризация: 912

SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4

Инвентаризация: 306

GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET

Инвентаризация: 742

GEN 3 650V 49A SIC MOSFET

Инвентаризация: 19

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 461

3.3V OUTPUT ACCURATE CORELESS CU

Инвентаризация: 3975

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 133

750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 0

Top