Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 106A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 18mOhm @ 58.2A, 10V
  • Материал феррулы 446W (Tc)
  • Барьерный тип 4.5V @ 2.91mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-4-3
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 650 V
  • 234 nC @ 10 V
  • 11660 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SIC DISCRETE

Инвентаризация: 47

AUTOMOTIVE_COOLMOS

Инвентаризация: 148

HIGH POWER_NEW

Инвентаризация: 0

HIGH POWER_NEW

Инвентаризация: 231

MOSFET N CH

Инвентаризация: 0

650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

Инвентаризация: 143

MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3

Инвентаризация: 205

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 269

750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 0

Top