Инвентаризация:1547

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 225A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 9.9mOhm @ 108A, 18V
  • Материал феррулы 750W (Tc)
  • Барьерный тип 5.2V @ 47mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-4-8
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +20V, -5V
  • 1200 V
  • 289 nC @ 18 V
  • 9170 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 1272

1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE

Инвентаризация: 404

SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263

Инвентаризация: 1656

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 182

SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4

Инвентаризация: 251

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SENSOR CURRENT HALL 25A 8TISON

Инвентаризация: 2009

Top