- Модель продукта IMZA120R007M1HXKSA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SIC DISCRETE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1547
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-4
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 225A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 9.9mOhm @ 108A, 18V
- Материал феррулы 750W (Tc)
- Барьерный тип 5.2V @ 47mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO247-4-8
- Длина ремня 15V, 18V
- Шаг Количество +20V, -5V
- 1200 V
- 289 nC @ 18 V
- 9170 pF @ 800 V