Инвентаризация:1997

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 54A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 54mOhm @ 20A, 18V
  • Материал феррулы 231W (Tc)
  • Барьерный тип 4.4V @ 10mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-3
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -10V
  • 1200 V
  • 75 nC @ 18 V
  • 1700 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE

Инвентаризация: 5968

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 225

SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4

Инвентаризация: 251

SICFET N-CH 1200V 66A TO247-3

Инвентаризация: 51

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 115

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 286

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL

Инвентаризация: 444

SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3

Инвентаризация: 41

SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3

Инвентаризация: 383

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

Инвентаризация: 590

Top