Инвентаризация:1725

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 55A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 54.4mOhm @ 19.3A, 18V
  • Материал феррулы 227W (Tc)
  • Барьерный тип 5.2V @ 10mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-3
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +20V, -5V
  • 1200 V
  • 51 nC @ 18 V
  • 1620 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 1147

SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 28

LOW POWER EASY

Инвентаризация: 19

SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263

Инвентаризация: 705

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263

Инвентаризация: 1656

SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4

Инвентаризация: 261

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 7

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 115

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 600

Top