- Модель продукта NTHL030N120M3S
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1944
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 73A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 39mOhm @ 30A, 18V
- Материал феррулы 313W (Tc)
- Барьерный тип 4.4V @ 15mA
- Максимальное переменное напряжение TO-247-3
- Длина ремня 18V
- Шаг Количество +22V, -10V
- 1200 V
- 107 nC @ 18 V
- 2430 pF @ 800 V
Сопутствующие товары
1200V 40MOHM SIC MOSFET
Инвентаризация: 289
SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
Инвентаризация: 1732
SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L
Инвентаризация: 61
SIC DISCRETE
Инвентаризация: 179
SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
Инвентаризация: 497
