Инвентаризация:1561

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 63A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 52mOhm @ 40A, 20V
  • Материал феррулы 322W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 10mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-3
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +25V, -10V
  • 1200 V
  • 118 nC @ 20 V
  • 3192 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3

Инвентаризация: 1013

SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3

Инвентаризация: 3429

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 259

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 225

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL

Инвентаризация: 444

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Инвентаризация: 433

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Инвентаризация: 738

SICFET N-CH 1200V 65A HIP247

Инвентаризация: 0

Top