Инвентаризация:1883

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 54A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 54mOhm @ 20A, 18V
  • Материал феррулы 231W (Tc)
  • Барьерный тип 4.4V @ 10mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +18V, -3V
  • 1200 V
  • 75 nC @ 18 V
  • 1700 pF @ 800 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 28

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 274

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 189

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 286

SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3

Инвентаризация: 497

SICFET N-CH 1200V 102A TO247

Инвентаризация: 966

SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4

Инвентаризация: 364

1200V, 31A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 365

Top