Инвентаризация:1865

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 31A (Tj)
  • Сопротивление при 25°C 104mOhm @ 10A, 18V
  • Материал феррулы 165W
  • Барьерный тип 5.6V @ 5mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -4V
  • 1200 V
  • 60 nC @ 18 V
  • 785 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S

Инвентаризация: 88

SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227

Инвентаризация: 107

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 182

SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3

Инвентаризация: 383

SICFET N-CH 1200V 31A TO247N

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L

Инвентаризация: 510

SICFET N-CH 1200V 17A TO247N

Инвентаризация: 1990

N-CHANNEL MOSFET,TO-247-4

Инвентаризация: 338

Top