Инвентаризация:1838

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 39A
  • Сопротивление при 25°C 85mOhm @ 20A, 18V
  • Материал феррулы 223W (Tc)
  • Барьерный тип 3.6V @ 5mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -8V
  • 1200 V
  • 41 nC @ 18 V
  • 890 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4

Инвентаризация: 32

SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4

Инвентаризация: 27

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 47

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 7

1200V, 31A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 365

N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB

Инвентаризация: 306

1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST

Инвентаризация: 1910

Top