- Модель продукта DMWSH120H90SM4Q
- Бренд Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
- RoHS Yes
- Описание SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-4
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 40A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 97.5mOhm @ 20A, 15V
- Материал феррулы 235W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 5mA
- Максимальное переменное напряжение TO-247-4
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 15V
- Шаг Количество +19V, -8V
- 1200 V
- 47.6 nC @ 15 V
- 1112 pF @ 1000 V
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3
Инвентаризация: 172
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Инвентаризация: 50
SIC, MOSFET, 40M, 1200V, TO-247-
Инвентаризация: 316
SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L
Инвентаризация: 61
SIC DISCRETE
Инвентаризация: 7
N-CHANNEL MOSFET,TO-247-4
Инвентаризация: 338
1200V/30MOHM SIC STACKED FAST CA
Инвентаризация: 1372
