Инвентаризация:1550

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 28.5mOhm @ 50A, 15V
  • Материал феррулы 429W (Tc)
  • Барьерный тип 3.6V @ 17.7mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество +19V, -8V
  • 1200 V
  • 156.3 nC @ 15 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4

Инвентаризация: 27

SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4

Инвентаризация: 1085

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 57

Top