Инвентаризация:1816

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 57A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 53mOhm @ 31.9A, 15V
  • Материал феррулы 242W
  • Барьерный тип 3.6V @ 8.77mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество +19V, -8V
  • 1200 V
  • 94 nC @ 15 V
  • 2726 pF @ 1000 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 1272

SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 242

SIC, MOSFET, 32M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 360

40m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL

Инвентаризация: 770

1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET

Инвентаризация: 382

1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET

Инвентаризация: 260

SIC MOSFET N-CH 71A TO247-4

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 102A TO247

Инвентаризация: 966

SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

Инвентаризация: 876

SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3

Инвентаризация: 383

Top